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A microwave plasma dry etch technique for failure analysis of Cu and PdCu wire bonds strength

机译:一种微波等离子体干蚀刻技术,用于Cu和PDCU线粘合强度的故障分析

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摘要

A dry etching de-capsulation method using pre-laser ablation, microwave plasma etching and diluted methane sulfonic acid cleaning to expose the Cu wire is introduced. Comparison study of wire bond strength shows that dry plasma etching is superior over wet chemical etching method. The experiment leads further to determine the characterization result of wire ball bonding strength for different bond pads and wire materials of samples produced by the two types of de-capsulation method.
机译:引入了使用预激光烧蚀,微波等离子体蚀刻和稀释的甲烷磺酸清洁以暴露Cu线的干蚀刻去封装方法。线粘合强度的比较研究表明,干等离子体蚀刻优于湿化学蚀刻方法。该实验进一步导致用于确定用于不同键合焊盘的线球键合强度的表征结果,以及由两种类型的去封装方法产生的样品的线材。

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