公开/公告号CN107393803A
专利类型发明专利
公开/公告日2017-11-24
原文格式PDF
申请/专利权人 武汉华星光电技术有限公司;
申请/专利号CN201710628785.0
申请日2017-07-28
分类号
代理机构深圳市铭粤知识产权代理有限公司;
代理人孙伟峰
地址 430070 湖北省武汉市东湖开发区高新大道666号生物城C5栋
入库时间 2023-06-19 03:52:47
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-01-24
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01J37/32 申请公布日:20171124 申请日:20170728
发明专利申请公布后的视为撤回
2017-12-22
实质审查的生效 IPC(主分类):H01J37/32 申请日:20170728
实质审查的生效
2017-11-24
公开
公开
机译: 干蚀刻装置,使用其的干蚀刻装置制造半导体装置的方法以及由该方法制造的半导体装置以及用于干蚀刻装置的电极的制造方法
机译: 电极盖,具有干式蚀刻装置的干式蚀刻装置以及具有干式蚀刻装置的统一蚀刻装置
机译: 用于干蚀刻装置的排气电极和用于制造包括该蚀刻装置的半导体装置的干蚀刻装置的处理室