机译:E / D逻辑亚微米MODFET的反向建模和最大外部MODFET电流增益截止频率的预测
机译:确定共发射极异质结双极晶体管的截止频率和最大振荡频率的方法
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机译:各种SOI和Si体MOSFET的电流增益截止频率和最大振荡频率的零温度系数
机译:转移衬底HBT技术中改进的电流增益截止频率和高增益带宽放大器。
机译:面向低电压低能耗的超薄绝缘体上硅MOSFET低频噪声行为的经验和理论模型
机译:SOI和散装鳍片型高温高温的基本电压增益和单位增益频率的比较分析