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International Symposium on Advanced Semiconductor - on Insulator Technology and Related Physics
International Symposium on Advanced Semiconductor - on Insulator Technology and Related Physics
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1.
Subband Structure Engineering in Silicon-on-Insulator FinFETs using Confinement
机译：
使用限制的绝缘体内硅的子带结构工程
作者：
Z. Stanojevic
;
V. Sverdlov
;
S. Selberherr
会议名称：
《International Symposium on Advanced Semiconductor - on Insulator Technology and Related Physics》
|
2011年
2.
Hysteresis Effects in FinFETs with ONO Buried Insulator
机译：
用ono埋藏绝缘体的Finfets中的滞后效应
作者：
S. J. Chang
;
M. Bawedin
;
W. Xiong
;
J. H. Lee
;
S. Cristoloveanu
会议名称：
《International Symposium on Advanced Semiconductor - on Insulator Technology and Related Physics》
|
2011年
3.
Transport-Confined Multi-Barrier FETs: A New Paradigm For Low-Leakage High On-Current Transistors
机译：
运输限制多屏障FET：用于低泄漏高导通电流晶体管的新型范式
作者：
A. Afzalian
;
D. Flandre
会议名称：
《International Symposium on Advanced Semiconductor - on Insulator Technology and Related Physics》
|
2011年
4.
TiN/HfSiON for Analog Applications of nMuGFETs
机译：
nmugfet的模拟应用锡/ hfsion
作者：
M. Rodrigues
;
M. Galeti
;
J. A. Martino
;
N. Collaert
;
E. Simoen
;
C. Claeys
会议名称：
《International Symposium on Advanced Semiconductor - on Insulator Technology and Related Physics》
|
2011年
5.
Lateral-liquid phase epitaxy of (101) Ge-on-insulator from Si template by metal-induced crystallization
机译：
通过金属诱导的结晶来自Si模板（101）Ge-on-绝缘体的侧液相外延
作者：
Masashi Kurosawa
;
Naoyuki Kawabata
;
Ryusuke Kato
;
Taizoh Sadoh
;
Masanobu Miyao
会议名称：
《International Symposium on Advanced Semiconductor - on Insulator Technology and Related Physics》
|
2011年
6.
Transport Properties of 3D Vertically Stacked SiGe and SiGeC Nanowires
机译：
3D垂直堆叠SiGE和SIGEC纳米线的运输特性
作者：
A. Diab
;
E. Saracco
;
I. Ionica
;
C. Bonafos
;
J. F. Damlencourt
;
S. Cristoloveanu
会议名称：
《International Symposium on Advanced Semiconductor - on Insulator Technology and Related Physics》
|
2011年
7.
New Capacitorless Dynamic Memory Compatible with SOI and Bulk CMOS
机译：
新的电容器动态内存与SOI和散装CMOS兼容
作者：
N. Rodriguez
;
F. Gamiz
;
S. Cristoloveanu
会议名称：
《International Symposium on Advanced Semiconductor - on Insulator Technology and Related Physics》
|
2011年
8.
Ultra Low Power 3-D Flow Meter in Monolithic SOI Technology
机译：
单片SOI技术超低功率3-D流量计
作者：
N. Andre
;
B. Rue
;
G. Scheen
;
L. A. Francis
;
D. Flandre
;
J. P. Raskin
会议名称：
《International Symposium on Advanced Semiconductor - on Insulator Technology and Related Physics》
|
2011年
9.
Comparative Study of Random Telegraph Noise in Junctionless and Inversion-Mode MuGFETs
机译：
无连接和反转模式Mugfet中随机电报噪声的比较研究
作者：
A. N. Nazarov
;
C. W. Lee
;
A. Kranti
;
I. Ferain
;
R. Yan
;
N. Dehdashti Akhavan
;
P. Razavi
;
R. Yu
;
J. P. Colinge
会议名称：
《International Symposium on Advanced Semiconductor - on Insulator Technology and Related Physics》
|
2011年
10.
Global and/or Local Strain Influence on p- and nMuGFET Analog Performance
机译：
全球和/或局部应变对P-和NMUGFET模拟性能的影响
作者：
P. G. D. Agopian
;
J. A. Martino
;
E. Simoen
;
C. Claeys
会议名称：
《International Symposium on Advanced Semiconductor - on Insulator Technology and Related Physics》
|
2011年
11.
Humidity Effects on Substrate Bonding for Silicon-on-Glass
机译：
硅上玻璃基板键合的湿度效应
作者：
A. Y. Usenko
会议名称：
《International Symposium on Advanced Semiconductor - on Insulator Technology and Related Physics》
|
2011年
12.
Functionalization of Silicon Nanowires for Specific Sensing
机译：
硅纳米线对特定感应的官能化
作者：
V. Passi
;
E. Dubois
;
C. Celle
;
S. Clavaguera
;
J. P. Simonato
;
J. P. Raskin
会议名称：
《International Symposium on Advanced Semiconductor - on Insulator Technology and Related Physics》
|
2011年
13.
The Roles of the Electric Field and the Density of Carriers in the Improved Output Conductance of Junctionless Nanowire Transistors
机译：
电场的作用与载流子的密度在结纳米线晶体管的改进输出电导下
作者：
R. T. Doria
;
M. A. Pavanello
;
R. D. Trevisoli
;
M. Souza
;
C. W. Lee
;
I. Ferain
;
N. Dehdashti Akhavan
;
R. Yan
;
P. Razavi
;
R. Yu
;
A. Kranti
;
J. P. Colinge
会议名称：
《International Symposium on Advanced Semiconductor - on Insulator Technology and Related Physics》
|
2011年
14.
Thermoelectric Properties of Silicon-On-Insulator Nanostructures
机译：
绝缘体硅纳米结构的热电性能
作者：
Z. Aksamija
;
I. Knezevic
会议名称：
《International Symposium on Advanced Semiconductor - on Insulator Technology and Related Physics》
|
2011年
15.
Zero Temperature Coefficient of Current Gain Cutoff Frequency and Maximum Oscillation Frequency for Various SOI and Si bulk MOSFETs
机译：
各种SOI和Si散装MOSFET的电流增益截止频率和最大振荡频率的零温度系数
作者：
Mostafa Emam
;
Danielle Vanhoenacker-Janvier
;
Jean-Pierre Raskin
会议名称：
《International Symposium on Advanced Semiconductor - on Insulator Technology and Related Physics》
|
2011年
16.
FISH SOI MOSFET: An Evolution of the Diamond SOI Transistor for Digital ICs Applications
机译：
鱼SOI MOSFET：用于数字ICS应用的钻石SOI晶体管的演变
作者：
Salvador Pinillos Gimenez
;
Daniel Manha Alati
会议名称：
《International Symposium on Advanced Semiconductor - on Insulator Technology and Related Physics》
|
2011年
17.
Properties of Silicon Ballistic Spin Fin-Based Field-Effect Transistor
机译：
基于硅弹性旋转翅片场效应晶体管的性质
作者：
D. Osintsev
;
V. Sverdlov
;
Z. Stanojevic
;
A. Makarov
;
J. Weinbub
;
S. Selberherr
会议名称：
《International Symposium on Advanced Semiconductor - on Insulator Technology and Related Physics》
|
2011年
18.
Au-Catalyst Induced Low Temperature (～250°C) Layer Exchange Crystallization for SiGe on Insulator
机译：
Au-催化剂诱导绝缘体上SiGe的低温（〜250℃）层交换结晶
作者：
Jong-Hyeok Park
;
Masashi Kurosawa
;
Naoyuki Kawabata
;
Masanobu Miyao
;
Taizoh Sadoh
会议名称：
《International Symposium on Advanced Semiconductor - on Insulator Technology and Related Physics》
|
2011年
19.
Nanomechanical testing of free-standing monocrystalline silicon beams
机译：
独立式单晶硅梁的纳米机械测试
作者：
U. Bhaskar
;
S. Houri
;
V. Passi
;
T. Pardoen
;
J. P. Raskin
会议名称：
《International Symposium on Advanced Semiconductor - on Insulator Technology and Related Physics》
|
2011年
20.
An Analytical Model for the Non-Linearity of Triple Gate SOI MOSFETs
机译：
三栅极SOI MOSFET非线性的分析模型
作者：
R. T. Doria
;
J. A. Martino
;
E. Simoen
;
C. Claeys
;
M. A. Pavancello
会议名称：
《International Symposium on Advanced Semiconductor - on Insulator Technology and Related Physics》
|
2011年
21.
A Simulation Comparison between Junctionless and Inversion-Mode MuGFETs
机译：
连接和反转模式Mugfet之间的模拟比较
作者：
J. P. Colinge
;
A. Kranti
;
R. Yan
;
I. Ferain
;
N. Dehdashti Akhavan
;
P. Razavi
;
C. W. Lee
;
R. Yu
;
C. A. Colinge
会议名称：
《International Symposium on Advanced Semiconductor - on Insulator Technology and Related Physics》
|
2011年
22.
Stress Relaxation Empirical Model for Biaxially Strained Triple-Gate Devices
机译：
双轴紧张三栅装置的应力松弛经验模型
作者：
R. D. Trevisoli
;
J. A. Martino
;
E. Simoen
;
C. Claeys
;
M. A. Pavanello
会议名称：
《International Symposium on Advanced Semiconductor - on Insulator Technology and Related Physics》
|
2011年
23.
SiGe and Ge on Insulator Wafers
机译：
绝缘体晶片上的SiGe和Ge
作者：
N. Daval
;
C. Figuet
;
C. Aulnette
;
D. Landru
;
C. Drazek
;
K. K. Bourdelle
;
E. Guiot
;
F. Letertre
;
B. Y. Nguyen
;
C. Mazure
会议名称：
《International Symposium on Advanced Semiconductor - on Insulator Technology and Related Physics》
|
2011年
24.
Novel SOI Structures and Characterization Strategy
机译：
新型SOI结构和特征策略
作者：
Sorin Cristoloveanu
会议名称：
《International Symposium on Advanced Semiconductor - on Insulator Technology and Related Physics》
|
2011年
25.
Evaluation of interface trap density in advanced SOI MOSFETs
机译：
高级SOI MOSFET中界面陷阱密度评估
作者：
M. Bawedin
;
S. Cristoloveanu
;
S. J. Chang
;
M. Valenza
;
F. Martinez
;
J. H. Lee
会议名称：
《International Symposium on Advanced Semiconductor - on Insulator Technology and Related Physics》
|
2011年
26.
Numerical Modeling of Noise and Transport in SOI Devices
机译：
SOI设备噪声与运输的数值模拟
作者：
B. Meinerzhagen
;
A. T. Pham
;
S. M. Hong
;
C. Jungemann
会议名称：
《International Symposium on Advanced Semiconductor - on Insulator Technology and Related Physics》
|
2011年
27.
FDSOI Process Technology for Subthreshold-Operation Ultra-Low Power Electronics
机译：
FDSHELD操作超低功耗电子设备的FDSOI工艺技术
作者：
S. A. Vitale
;
P. W. Wyatt
;
N. Checka
;
J. Kedzierski
;
C. L. Keast
会议名称：
《International Symposium on Advanced Semiconductor - on Insulator Technology and Related Physics》
|
2011年
28.
Silicon Spintronics: Challenges and Perspectives
机译：
Silicon SpintRonics：挑战和观点
作者：
Jaroslav Fabian
会议名称：
《International Symposium on Advanced Semiconductor - on Insulator Technology and Related Physics》
|
2011年
29.
Radiation-Induced Pulse Noise in SOI CMOS Logic
机译：
SOI CMOS逻辑中的辐射诱导的脉冲噪声
作者：
Daisuke Kobayashi
;
Kazuyuki Hirose
;
Hirokazu Ikeda
;
Hirobumi Saito
会议名称：
《International Symposium on Advanced Semiconductor - on Insulator Technology and Related Physics》
|
2011年
30.
Research of SOI Microelectromechanical Sensors with a Monolithic Tensoframe for High-Temperature Pressure Transducers
机译：
具有高温压力传感器单片状rame的SOI微机电传感器研究
作者：
L. V. Sokolov
会议名称：
《International Symposium on Advanced Semiconductor - on Insulator Technology and Related Physics》
|
2011年
31.
Strain Nano-Engineering: SSOI as a Playground
机译：
应变纳米工程：SSOI作为操场
作者：
O. Moutanabbir
;
A. Hahnel
;
M. Reiche
;
W. Erfurth
;
A. Tarun
;
N. Hayazawa
;
S. Kawata
;
F. Naumann
;
M. Petzold
会议名称：
《International Symposium on Advanced Semiconductor - on Insulator Technology and Related Physics》
|
2011年
32.
Performance of SOI MOSFETs with Ultra-Thin Body and Buried-Oxide
机译：
具有超薄体和埋氧化物的SOI MOSFET的性能
作者：
A. Ohata
;
Y. Bae
;
S. Cristoloveanu
;
C. Fenouillet-Beranger
;
P. Perreau
;
O. Faynot
会议名称：
《International Symposium on Advanced Semiconductor - on Insulator Technology and Related Physics》
|
2011年
33.
Nonlinear Properties of Si-based Substrates for Wireless Systems and SoC Integration
机译：
用于无线系统和SOC集成的SI基基板的非线性特性
作者：
C. Roda Neve
;
J. P. Raskin
会议名称：
《International Symposium on Advanced Semiconductor - on Insulator Technology and Related Physics》
|
2011年
34.
Performance of Ultra-Low-Power SOI CMOS Diodes Operating at Low Temperatures
机译：
在低温下运行的超低功耗SOI CMOS二极管的性能
作者：
M. de Souza
;
B. Rue
;
D. Flandre
;
M. A. Pavanello
会议名称：
《International Symposium on Advanced Semiconductor - on Insulator Technology and Related Physics》
|
2011年
35.
Single Crystal Silicon Thin Film on Polymer Substrate by Double Layer Transfer Method
机译：
双层转移法在聚合物基材上的单晶硅薄膜
作者：
J. Senawiratne
;
A. Usenko
会议名称：
《International Symposium on Advanced Semiconductor - on Insulator Technology and Related Physics》
|
2011年
36.
Ultra-thin film SOI/BOX substrate development, its application and readiness
机译：
超薄薄膜SOI /盒子底物开发，其应用和准备
作者：
W. Schwarzenbach
;
X. Cauchy
;
O. Bonnin
;
N. Daval
;
C. Aulnette
;
C. Girard
;
B. Y. Nguyen
;
C. Maleville
会议名称：
《International Symposium on Advanced Semiconductor - on Insulator Technology and Related Physics》
|
2011年
37.
X-Ray Radiation Effects in the Circular-Gate Transistors
机译：
圆形栅极晶体管中的X射线辐射效应
作者：
K. H. Cirne
;
M. A. G. Silveira
;
J. A. De Lima
;
L. E. Seixas Jr.
;
S. P. Gimenez
会议名称：
《International Symposium on Advanced Semiconductor - on Insulator Technology and Related Physics》
|
2011年
38.
Fin Pitch Impact on Biaxial/Uniaxial Strain Engineering of Triple-Gate Devices
机译：
三栅装置双轴/单轴应变工程的翅片间距影响
作者：
M. Rodrigues
;
V. Sonnenberg
;
J. A. Martino
;
N. Collaert
;
E. Simoen
;
C. Claeys
会议名称：
《International Symposium on Advanced Semiconductor - on Insulator Technology and Related Physics》
|
2011年
39.
Trends and Challenges in Si and Hetero-Junction Tunnel Field Effect Transistors
机译：
Si和异性交界隧道场效应晶体管的趋势与挑战
作者：
C. Claeys
;
D. Leonelli
;
R. Rooyackers
;
A. Vandooren
;
A. S. Verhulst
;
M. M. Heyns
;
G. Groeseneken
;
S. De Gendt
会议名称：
《International Symposium on Advanced Semiconductor - on Insulator Technology and Related Physics》
|
2011年
40.
Scaling Scheme and Performance Perspective of Cross-Current Tetrode (XCT) SOI MOSFET for Future Ultra-Low Power Applications
机译：
交叉电流Tetrode（XCT）SOI MOSFET用于将来超低功耗应用的缩放方案和性能透视
作者：
Y. Omura
;
K. Fukuchi
;
D. Ino
;
O. Hayashi
会议名称：
《International Symposium on Advanced Semiconductor - on Insulator Technology and Related Physics》
|
2011年
41.
A Tunable Color Filter Using Sub-micron Grating Integrated with Electrostatic Actuator Mechanism
机译：
使用与静电执行器机构集成的子微米光栅的可调谐滤色器
作者：
H. Miyao
;
K. Takahashi
;
M. Ishida
;
K. Sawada
会议名称：
《International Symposium on Advanced Semiconductor - on Insulator Technology and Related Physics》
|
2011年
42.
Growth-Direction Dependent Rapid-Melting-Growth of Ge-on-Insulator (GOI) and its Application to Ge Mesh-Growth
机译：
生长方向依赖于绝缘体（GOI）的快速熔化生长及其在GE网眼增长的应用
作者：
H. Yokoyama
;
Y. Ohta
;
K. Toko
;
T. Sadoh
;
M. Miyao
会议名称：
《International Symposium on Advanced Semiconductor - on Insulator Technology and Related Physics》
|
2011年
43.
Silicon photonics devices based on SOI structures
机译：
基于SOI结构的硅光态器件
作者：
S. Itabashi
;
K. Yamada
;
H. Fukuda
;
T. Tsuchizawa
;
T. Watanabe
;
H. Shinojima
;
Hishi
;
R. Takahashi
;
Y. Ishikawa
;
K. Wada
会议名称：
《International Symposium on Advanced Semiconductor - on Insulator Technology and Related Physics》
|
2011年
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