机译:效率为97.8%的GaN HEMT升压转换器,在1 MHz时具有300W的输出功率
机译:采用部分凹陷和氟化陷阱电荷栅结构的无金,常态关闭的AlGaN / GaN-on-Si MIS-HEMT
机译:具有高阈值电压和大栅极摆幅的5.3A / 400V常关AlGaN / GaN-on-Si MOS-HEMT
机译:效率为95%的常关型硅上GaN HEMT混合IC升压转换器,在1 MHz时具有425W的输出功率
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:用多指架构调制对高功率应用的自终止蚀刻技术常关P-GAN / ALGAN / GAN HEMT的研究
机译:多MHz开关频率对Gan-on-Si Hemts动态导通电阻的影响