机译:1200 V 4H-SiC双极结型晶体管,具有创纪录的beta 70
机译:β值为70的1200 V 4H-SiC双极结型晶体管
机译:1200 V / 800 A SiC双极结型晶体管功率模块的PSPICE模型的开发
机译:4H-SiC双极结型晶体管:从研究到开发-案例研究:1200 V,20 A,稳定的SiC BJT,具有高阻断率
机译:使用Angelov模型在PSpice中对碳化硅(SIC)垂直结场效应晶体管(VJFET)进行紧凑建模,并使用SIC VJFET模型对PSpice模拟电路构建模块进行仿真。
机译:低关断损耗的4H-SiC沟槽绝缘栅双极晶体管的仿真研究
机译:总剂量对4H-SiC双极结晶体管的影响