Chemical mechanical polishing; Material removal mechanism; Material removal rate; Copper; Abrasive particle;
机译:铜化学机械抛光中材料去除机理的分析
机译:分子动力学模拟分析磨料滚动对化学机械抛光中材料去除和表面光洁度的影响
机译:4H-SiC(0001)表面电化学机械抛光中材料去除率的主导因素及其动作机制
机译:铜化学机械抛光中的材料去除机理分析
机译:化学机械抛光(CMP)中材料去除机理的机械方面。
机译:超声化学机械抛光与超声研磨相结合的单晶碳化硅晶片材料去除及表面生成研究
机译:基于准连续法的不同粒径铜化学机械抛光材料去除机理