Athermal InP(110) twin-IQ modulator with planar single-RF electrode structure

机译：具有平面单射频电极结构的Thermal Inp（110）双智智电极调制器

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We report an athermal InP IQ modulator that exhibits a low optical insertion loss, a 3-dB EO bandwidth of over 25 GHz, and 56-Gb/s×2 QPSK modulations between temperatures of 20 and 80°C.

机译：我们报告了一个Athermal Inp IQ调制器，其表现出低光插入损耗，3dB EO带宽超过25GHz，56GB / s×2 QPSK调制在20和80°C之间。

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来源
《OptoElectronics and Communications Conference》|2014年||共2页
会议地点
作者
Ogiso Y.; Nakanishi Y.; Kanazawa S.; Yamada E.; Kikuchi N.; Tanobe H.; Shibata Y.; Kohtoku M.;
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作者单位

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会议组织
原文格式 PDF
正文语种
中图分类通信;
关键词
High-speed optical techniques; Optical attenuators; Optical losses; Optical modulation; Optical waveguides; Phase shift keying;

机译：高速光学技术;光衰减器;光学损耗;光调制;光波导;相移键控;

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Athermal InP(110) twin-IQ modulator with planar single-RF electrode structure

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