calibration; data; metrology; model; OPC;
机译:多栅极设备和汇总电路共同设计稳健性研究@ 32-NM技术节点
机译:用于32 nm高性能逻辑SOI CMOS技术的MOCVD和ALD沉积$ hbox {HfZrO} _ {4} $栅极电介质的比较
机译:径向电离轮廓对SOI晶体管和SRAM超出32nm技术节点的SEE预测的影响
机译:32-NM节点逻辑OPC计量要求的MPIRICE研究
机译:用于亚22纳米节点数字CMOS逻辑技术的基于锗的量子阱沟道MOSFET的工艺集成和性能评估
机译:评估德黑兰类风湿关节炎的患病率和疾病特征:一项WHO -ILAR COPCORD研究(来自伊朗COPCORD研究城市研究阶段1)
机译:EUVL掩模空白缺陷对32-NM HP节点的可检测性和可打印性