InAs{sub}xP{sub}(1-x) Nanowire Heterostructures

机译：INAS {sub} XP {sub}（1-x）纳米线异质结构

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Optical characterization of InP/InAs{sub}xP{sub}(1-x)/InP heterostructures demonstrates that we have grown nanowire heterostructures via MOCVD. Temperature-dependent photoluminescence spectra reveal emission from distinct subbands of the InAs{sub}xP{sub}(1-x) material.

机译：INP / INAS {SUB} XP {SUB}（1-X）/ INP异质结构的光学表征表明我们通过MOCVD生长了纳米线异质结构。温度依赖性光致发光光谱从INAS {Sub} XP {Sub}（1-x）材料的不同子带发射。

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来源
《International Nano-Optoelectronics Workshop》|2008年||共2页
会议地点
作者
Shanna Crankshaw; Linus C. Chuang; Michael Moewe; Connie Chang-Hasnain;
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中图分类 TP241-53;
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