机译:GRIN-SCH AlGaInAs / InP量子阱激光器在1300 nm处发射
机译:不均匀性和缺陷对新型量子阱和基于量子点的红外发射半导体激光器的影响
机译:短波长(760–920 nm)AlGaInAs量子点激光器
机译:红色发光,高性能AlGaInAs量子点激光器
机译:发射红色的III型氮化物自组装量子点激光器。
机译:覆盖绿色间隙的量子点垂直腔表面发射激光器
机译:聚合物作为高性能量子点发光二极管的发光层中的添加剂
机译:利用原子层石墨烯对基于Inas量子点的垂直外腔表面发射激光器进行锁模。