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Complex Nanostructures by Atomic Layer Deposition

机译:通过原子层沉积复合纳米结构

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摘要

Atomic Layer Deposition (ALD) recently became a key-technology for the surface modification of complex nanostructured materials. This method was invented in Finland in the 1970s and became important for the deposition of high-k dielectric and electrode materials in semiconductor industry in the past decade.
机译:原子层沉积(ALD)最近成为复合纳米结构材料表面改性的关键技术。该方法在20世纪70年代在芬兰发明,并且在过去十年中,在半导体工业中的高k电介质和电极材料沉积很重要。

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