【24h】

Laser Annealed Ni(Ti) Silicides Formation

机译:激光退火的Ni(Ti)硅化物形成

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摘要

Effect of Ti alloying during both RTA and LTA on Ni silicide formation is studied. In the RTA annealed samples, Ni3Si2 was found to be the first silicide formed at 600degC and stable up to 900degC. On the other hand, unique triple layer microstructures were found in the sample after single-pulsed LTA at high laser fluence. Ti rapidly segregates from the alloy melt and forms a protective TiOx overlayer on the surface during rapid solidification
机译:研究了Ti合金化在Ni硅化物形成上的RTA和LTA期间的影响。在RTA退火样品中,发现Ni 3 Si 2 是在600degc形成的第一种硅化物,稳定高达900degc。另一方面,在高激光器流量的单脉冲LTA之后在样品中发现独特的三层微结构。 TI从合金熔体迅速隔离,并在快速凝固过程中形成表面上的保护性TiO X / sub>叠层

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