机译:纳米技术CMOS应用等离子掺杂和准分子激光退火的超浅结形成
机译:通过等离子体掺杂和闪光灯退火产生的超浅结
机译:等离子体注入硼的激光退火用于硅中的超浅结
机译:等离子体掺杂和激光退火形成的超浅结
机译:锗硅化物通过选择性沉积原位掺杂的硅锗合金与纳米级CMOS集成电路的超浅p(+)n结接触。
机译:直接耦合热退火的脉冲激光沉积一步法制氮掺杂石墨烯薄膜的电分析性能
机译:脉冲激光退火,用于形成用于纳米级金属氧化物半导体技术的超浅线
机译:通过脉冲紫外激光掺杂工艺制造的超浅盒状截面。