机译:利用降噪技术设计低功耗CMOS超宽带低噪声放大器
机译:UltraLow-Power超宽带(5?GHz-10?GHz)低噪声放大器的设计为0.13?μmCMOS技术
机译:用于超低功耗设备的扩展噪声裕度亚斯雷姆电池的低功率设计
机译:超低噪声低功耗LDO设计
机译:超低噪声和低功耗低压降(LDO)稳压器的设计技术。
机译:用于超低功耗低噪声应用的100MTnm AlSb / InAs HEMT
机译:UltraLow-Power超宽带(5GHz-10GHz)低噪声放大器的设计在0.13μmCMOS技术中