机译:氘核在20 keV下对H-2的反应支化率的测量
机译:在20 keV下氘代诱导的2H反应的支化比的测量
机译:快速中子在碳上引起的反应中产生的带电粒子(E-n = 20至75 MeV)(I)。质子和氘核
机译:对于D + D反应中的中子质子分支比的目标材料依赖性的证据,在20kev以下的氘代能量
机译:40 MEV时质子-质子四级散射氘(质子,2质子)中子反应。
机译:能量为1 keV至10 MeV的中子辐照从聚乙烯转化器出来的质子的特性
机译:氘核能低于20 keV的d + d反应中中子 - 质子分支比的靶材依赖性的证据