193 nm resist; CD shrinkage; resist slimming; CD-SEM; carryover effect; shrinkage finger-print; lithography; etch;
机译:用于193 nm光刻的分辨率提高材料,其包含2-羟基苄醇和聚乙烯醇,且具有均匀的抗蚀剂图案收缩率
机译:用于193 nm光刻的分辨率提高材料,其包含2-羟基苄醇和聚乙烯醇,且具有均匀的抗蚀剂图案收缩率
机译:分析和表征193nm抗蚀剂收缩
机译:由于CD-SEM测量,对后蚀刻层具有193 nm的抗蚀剂收缩残留效应
机译:探索基于溶出抑制剂的非化学放大抗蚀剂,用于193 nm光刻。
机译:两层埋有球形尖端圆柱电极的电阻率测量
机译:193-NM光刻的分辨率增强材料,包括2-羟基苄醇和具有均匀抗蚀剂图案收缩的聚(乙烯醇)
机译:湿法开发的双层抗蚀剂,用于193纳米准分子激光光刻