semiconductor device models; high electron mobility transistors; semiconductor device packaging; amplifiers; S-parameters; microwave field effect transistors; ATF-36077 high electron mobility transistor; ATF-36077 HEMT; transistor small signal model; microwave transistor; S-parameters;
机译:高电子迁移晶体管的装置建模:小信号和噪声模拟
机译:GaN高电子迁移率晶体管基于遗传算法初始化人工神经网络的基于温度依赖性小信号型号
机译:利用人工神经网络的GaN高电子迁移率晶体管小信号行为建模技术:一种准确,快速且可靠的方法
机译:基于AlGaN / GaN的高电子迁移率晶体管的W波段大信号建模
机译:通过基于Monte Carlo粒子的器件仿真对GaN高电子迁移率晶体管和热电子晶体管进行建模和设计。
机译:0.1μmAlGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的改进大信号模型及其在W波段实用单片微波集成电路(MMIC)设计中的应用
机译:0.1μmAlgan/ GaN高电子迁移率(HEMTS)工艺的改进的大信号模型及其在W频段中实际单片微波集成电路(MMIC)设计中的应用
机译:用于alGaas / Gaas高电子迁移率晶体管的DC和小信号物理模型