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2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference
2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference
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1.
Device considerations and characterisations of double-channel GaAs pHEMT Schottky diodes for limiter applications
机译:
限制器应用的双通道GaAs pHEMT肖特基二极管的器件注意事项和特性
作者:
Haris Norshakila
;
Kyabaggu Peter B.K.
;
Alim Mohammad A.
;
Zhang Yongjian
;
Rezazadeh Ali A.
会议名称:
《2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2015年
关键词:
I-V and C-V characteristics;
Schottky diode;
double channel pHEMT;
parameter extraction;
small signal model;
2.
Effect of gate field plate and ??(gamma)-gate structures on RF power performance of AlGaN/GaN HEMTs
机译:
栅极场板和??(γ)栅极结构对AlGaN / GaN HEMT射频功率性能的影响
作者:
Toprak Ahmet
;
Haliloglu M.Taha
;
Durmus Yildirim
;
Sen Ozlem A.
;
Ozbay Ekmel
会议名称:
《2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2015年
关键词:
??-gate;
GaN HEMT;
RF power applications;
coplanar waveguide;
field plate;
gamma gate;
power amplifiers;
3.
GaN high power amplifier MMIC for 30W Compact Doherty amplifier for LTE active antenna system
机译:
用于LTE有源天线系统的30W紧凑型Doherty放大器的GaN高功率放大器MMIC
作者:
Chang Dong-pil
;
Noh Youn-sub
;
Yom In-bok
会议名称:
《2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2015年
关键词:
Active Antenna System;
Base Station;
Doherty Amplifier;
GaN MMIC;
High Power Amplifier;
LTE;
4.
GaN MMICs for microwave backhaul: Doherty vs. combined class-AB power amplifier
机译:
用于微波回程的GaN MMIC:Doherty与AB类组合功率放大器
作者:
Giofre R.
;
Piazzon L.
;
Colantonio P.
;
Giannini F.
;
Camarchia V.
;
Mustazar I.
;
Pirola M.
;
Quaglia R.
;
Ramella C.
会议名称:
《2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2015年
关键词:
Backhaul;
Doherty;
GaN;
combined class AB;
5.
A new variant of the indirect learning architecture for the linearization of power amplifiers
机译:
间接学习架构的新变体,用于功率放大器的线性化
作者:
Chani-Cahuana Jessica
;
Fager Christian
;
Eriksson Thomas
会议名称:
《2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2015年
关键词:
linearization techniques;
power amplifiers;
predistortion;
6.
High-gain over 30 PAE power amplifier MMICs in 100 nm GaN technology at Ka-band frequencies
机译:
采用100 nm GaN技术的高增益,功率超过30%的PAE功率放大器MMIC,处于Ka波段频率
作者:
Cheron J.
;
Campovecchio M.
;
Quere R.
;
Schwantuschke D.
;
Quay R.
;
Ambacher O.
会议名称:
《2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2015年
关键词:
Gallium Nitride;
MMIC;
high efficiency;
millimeter-wave;
power amplifiers;
7.
Photonic front-end for the next-generation of space SAR applications
机译:
下一代太空SAR应用的光子前端
作者:
Piqueras M.A.
;
Mengual T.
;
Chmielak B.
;
Catalani A.
;
Huggard P.
;
Wang H.
;
Ortuno R.
会议名称:
《2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2015年
关键词:
Synthetic Aperture Radar (SAR);
True-Time Delay;
microwave photonics;
optical beamforming;
phased-array antennas;
photonic integrated circuit (PIC);
8.
Millimeter-wave wireless beam-steering using patch-antennas with meandering-gaps on electro-optical modulator
机译:
在光电调制器上使用具有弯曲间隙的贴片天线进行毫米波无线波束控制
作者:
Wijayanto Y.N.
;
Kanno A.
;
Kawanishi T.
;
Murata H.
;
Okamura Y.
会议名称:
《2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2015年
关键词:
electro-optic modulator;
meandering-gaps;
patch-antennas;
wireless beam-steering;
9.
Miniaturized broadband up-converter MMIC
机译:
小型化宽带上变频器MMIC
作者:
Bessemoulin A.
;
Convert E.R.
;
Parker A.E.
;
Mahon S.J.
会议名称:
《2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2015年
关键词:
D-band;
MMICs;
PHEMTs;
broadband;
frequency conversion;
gallium arsenide;
millimetre wave integrated circuits;
mixers;
multiplier;
10.
Sub-harmonic wireless locking of a THz radiating on-chip source in 65 nm CMOS
机译:
65 nm CMOS中的太赫兹辐射片上源的次谐波无线锁定
作者:
Jameson Samuel
;
Halpern Eliezer
;
Socher Eran
会议名称:
《2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2015年
关键词:
CMOS;
Injection locking;
J-band;
THz;
VCO;
W-band;
antenna;
source;
wireless;
11.
Temperature measurements in RF operating conditions of AlGaN/GaN HEMTs using IR microscopy and Raman spectroscopy
机译:
使用红外显微镜和拉曼光谱在AlGaN / GaN HEMT的RF工作条件下进行温度测量
作者:
Baczkowski Leny
;
Jacquet Jean-Claude
;
Jardel Olivier
;
Gaquiere Christophe
;
Moreau Myriam
;
Carisetti Dominique
;
Brunel Laurent
;
Vouzelaud Franck
会议名称:
《2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2015年
关键词:
HEMTs;
Infrared imaging;
RF signals;
Raman scattering;
Simulation;
Temperature measurement;
12.
100???166 GHz wide band high speed digital dynamic frequency divider design in 0.13 ??m SiGe BiCMOS technology
机译:
采用0.13?m SiGe BiCMOS技术的100?166 GHz宽带高速数字动态分频器设计
作者:
Ali U.
;
Bober M.
;
Thiede A.
;
Wagner S.
会议名称:
《2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2015年
关键词:
HBT;
SiGe;
dynamic frequency dividers;
latch;
mm-wave circuits;
13.
A 246 GHz fundamental source with a peak output power of 2.8 dBm
机译:
246 GHz基频源,峰值输出功率为2.8 dBm
作者:
Sarmah Neelanjan
;
Heinemann Bernd
;
Pfeiffer Ullrich R.
会议名称:
《2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2015年
关键词:
220???325 GHz;
Oscillators;
SiGe HBT;
VCO;
free-running;
mmWave;
standalone;
sub-mmWave;
14.
A 42???71 GHz 90 nm CMOS injection-locked voltage-controlled oscillator using bulk injection technique
机译:
采用批量注入技术的42英寸71 GHz 90 nm CMOS注入锁定压控振荡器
作者:
Lin Yu-An
;
Lin Tsung-Hsien
;
Chang Hong-Yeh
会议名称:
《2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2015年
关键词:
CMOS;
MMIC;
MMW;
RFIC;
V-band;
W-band;
microwave;
voltage-controlled oscillator (VCO);
15.
A 60 GHz frequency divider with quadrature outputs in 130nm SiGe BiCMOS technology for optical OFDM systems
机译:
具有130nm SiGe BiCMOS技术的正交输出的60 GHz分频器,用于光学OFDM系统
作者:
Herzel Frank
;
Borngraber Johannes
;
Ergintav Arzu
会议名称:
《2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2015年
关键词:
OFDM;
frequency divider;
jitter;
phase noise;
16.
U-band pHEMT divide-by-three ILFD
机译:
U波段pHEMT除以3的ILFD
作者:
Chang Wei-Ling
;
Meng Chinchun
;
Tsung Kuan-Chang
;
Huang Guo-Wei
会议名称:
《2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2015年
关键词:
AlGaAs/InGaAs pHEMT;
Divide-by-three injection locked frequency divider;
Marchand Balun;
17.
A behavioral model for a wideband RF analog-to-digital converter
机译:
宽带RF模数转换器的行为模型
作者:
Wood John
;
Straayer Matt
会议名称:
《2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2015年
18.
A SiGe V-band x8 frequency multiplier with high spectral purity
机译:
具有高频谱纯度的SiGe V波段x8倍频器
作者:
Mazor N.
;
Katz O.
;
Sheinman B.
;
Carmon R.
;
Ben-Yishay R.
;
Levinger R.
;
Bruetbart A.
;
Elad D.
会议名称:
《2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2015年
关键词:
SiGe;
V-band;
frequency multiplier;
harmonic cancelation;
19.
Accurate power detector and dual directional coupler with self-calibration in 65nm CMOS
机译:
具有65nm CMOS自校准功能的精确功率检测器和双向耦合器
作者:
Cohen Emanuel
;
Nazimov Anna
;
Ravid Shmuel
会议名称:
《2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2015年
关键词:
CMOS;
VSWR;
detector;
directional coupler;
20.
Under-sampling effects and computational cost reduction in RF power amplifier behavioral modeling
机译:
射频功率放大器行为建模中的欠采样效应和计算成本降低
作者:
Wang Teng
;
Gilabert Pere L.
;
Montoro Gabriel
会议名称:
《2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2015年
关键词:
Behavioral modeling;
model order reduction;
power amplifier;
principal compenent analysis;
under-sampling;
21.
Porous silicon as a substrate for the integration of high performance on-chip antennas
机译:
多孔硅作为集成高性能片上天线的衬底
作者:
Sarafis P.
;
Nassiopoulou A.G.
;
Hsu C.L.
;
Benech P.
会议名称:
《2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2015年
关键词:
Passive devices;
RF;
mm-wave devices;
on-chip antennas;
porous silicon;
22.
Multi-bias nonlinear characterization of GaN FET trapping effects through a multiple pulse time domain network analyzer
机译:
通过多脉冲时域网络分析仪对GaN FET俘获效应进行多偏置非线性表征
作者:
Santarelli Alberto
;
Cignani Rafael
;
Niessen Daniel
;
Gibiino Gian Piero
;
Traverso Pier Andrea
;
Schreurs Dominique
;
Filicori Fabio
会议名称:
《2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2015年
关键词:
field effect transistors;
gallium nitride;
pulse measurement;
23.
Multi-objective design of compact RF/microwave components using decomposition and surrogate modeling
机译:
利用分解和替代模型对紧凑型射频/微波组件进行多目标设计
作者:
Koziel Slawomir
;
Bekasiewicz Adrian
会议名称:
《2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2015年
关键词:
EM-driven design;
compact RF components;
multi-objective optimization;
response surface approximations;
space mapping;
surrogate modeling;
24.
Ultra-broadband W-band frequency multiplier-by-twelve MMIC
机译:
十二分频MMIC超宽带W倍频器
作者:
Lewark U.J.
;
John L.
;
Wagner S.
;
Tessmann A.
;
Leuther A.
;
Zwick T.
;
Kallfass I.
会议名称:
《2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2015年
关键词:
Frequency conversion;
Frequency multiplier;
MMIC;
Millimeter-wave integrated circuits;
Ultra-Broadband;
25.
Key components of a D-band Dicke-radiometer in 90 nm SiGe BiCMOS technology
机译:
采用90 nm SiGe BiCMOS技术的D波段Dicke辐射仪的关键组件
作者:
Ben Yishay Roee
;
Shumaker Evgeny
;
Elad Danny
会议名称:
《2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2015年
关键词:
D-Band;
LNA;
SPDT switch;
SiGe;
millimeter wave integrated circuits;
passive imaging;
power detector;
26.
Symmetry based nonlinear model for GaN HEMTs
机译:
GaN HEMT的基于对称性的非线性模型
作者:
Prasad Ankur
;
Thorsell Mattias
;
Yhland Klas
;
Fager Christian
会议名称:
《2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2015年
27.
Cold-source cryogenic characterization and modeling of a mHEMT process
机译:
mHEMT过程的冷源低温表征和建模
作者:
Cleriti R.
;
Colangeli S.
;
Ciccognani W.
;
Palomba M.
;
Limiti E.
会议名称:
《2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2015年
关键词:
cold-source technique;
cryogenic mHEMT;
on-wafer measurements;
scalable noise model;
28.
Packaging optimization of an electro-optical modulator for high data-rate communications
机译:
用于高数据速率通信的电光调制器的封装优化
作者:
Moungoho Stephane Samuel Ngoho
;
Frigui Kamel
;
Bila Stephane
;
Mottet Alexandre
;
Hauden Jerome
;
Bernabe Stephane
;
Bampley Benjamin
;
Frigui Bouchra
;
Marris-Morini Delphine
;
Vivien Laurent
;
Charlet Gabriel
会议名称:
《2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2015年
关键词:
PN junction;
Packaging;
electro-optical modulator;
multiphysical modeling;
29.
A K-band high gain, low noise figure LNA using 0.13 ??m logic CMOS technology
机译:
采用0.13?m逻辑CMOS技术的K波段高增益,低噪声系数LNA
作者:
Dang J.
;
Sakalas P.
;
Noculak A.
;
Hinz M.
;
Meinerzhagen B.
会议名称:
《2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2015年
关键词:
Low noise figure;
high gain;
30.
An E-band 1 W-class PHEMT power amplifier MMIC
机译:
E波段1 W级PHEMT功率放大器MMIC
作者:
Tsukashima K.
;
Otsuka A.
;
Kubota M.
;
Tokumitsu T.
;
Ogita S.
会议名称:
《2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2015年
关键词:
E-band;
Odd-mode suppression;
PHEMT;
Power Amplifier;
31.
An E-band SiGe power amplifier with 28dB gain and 19.2 dBm output power utilizing an on-chip differential power combiner
机译:
利用片上差分功率合并器的E波段SiGe功率放大器,增益为28dB,输出功率为19.2 dBm
作者:
Furqan Muhammad
;
Ahmed Faisal
;
Jahn Martin
;
Stelzer Andreas
会议名称:
《2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2015年
关键词:
E-band communication;
millimeter-wave circuits;
power amplifier;
power-combining;
silicon germanium;
32.
AlGaN/GaN HEMT with fT:100GHz and fmax:128GHz
机译:
fT:100GHz和fmax:128GHz的AlGaN / GaN HEMT
作者:
Durmus Yildirim
;
Yilmaz Dogan
;
Toprak Ahmet
;
Turhan A.Burak
;
Sen Ozlem A.
;
Ozbay Ekmel
会议名称:
《2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2015年
关键词:
GaN HEMT;
LNA;
MMIC;
T-gate;
coplanar waveguide;
low noise applications;
millimeter wave applications;
33.
C-band and X-band class F, F???1 GaN MMIC PA design for envelope tracking systems
机译:
C波段和X波段F,F ??? 1 GaN MMIC PA设计,用于包络跟踪系统
作者:
Collins Gayle
;
Fisher Jeremy
;
Radulescu Fabian
;
Barner Jeff
;
Sheppard Scott
;
Worley Rick
;
Woods Brian
会议名称:
《2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2015年
关键词:
Gallium nitride;
MMIC;
Power amplifiers;
characterization;
envelope tracking;
load-pull;
34.
High-sensitivity wideband THz detectors based on GaN HEMTs with integrated bow-tie antennas
机译:
基于GaN HEMT且集成蝴蝶结天线的高灵敏度宽带THz检测器
作者:
Bauer Maris
;
Ramer Adam
;
Boppel Sebastian
;
Chevtchenko Serguei
;
Lisauskas Alvydas
;
Heinrich Wolfgang
;
Krozer Viktor
;
Roskos Hartmut G.
会议名称:
《2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2015年
关键词:
GaN HEMT terahertz detectors;
bow-tie antenna;
integrated field-effect transistors;
plasmonic detection;
35.
Electrical and thermal characterization of single and multi-finger InP DHBTs
机译:
单指和多指InP DHBT的电学和热学表征
作者:
Midili V.
;
Nodjiadjim V.
;
Johansen Tom K.
;
Riet M.
;
Dupuy J.Y.
;
Konczykowska A.
;
Squartecchia M.
会议名称:
《2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2015年
36.
Selection of compressed training data for RF power amplifier behavioral modeling
机译:
选择压缩训练数据进行射频功率放大器行为建模
作者:
Wang Ziming
;
Dooley John
;
Finnerty Keith
;
Farrell Ronan
会议名称:
《2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2015年
关键词:
Behavioural Modelling;
Digital Predistortion;
Least Square;
Probability Distribution;
37.
Performance and parasitic analysis of sub-micron scaled tri-gate AlGaN/GaN HEMT design
机译:
亚微米级三栅极AlGaN / GaN HEMT设计的性能和寄生分析
作者:
Ture E.
;
Bruckner P.
;
Raay F.V.
;
Quay R.
;
Ambacher O.
;
Alsharef M.
;
Granzner R.
;
Schwierz F.
会议名称:
《2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2015年
关键词:
Gallium compounds;
Gallium nitride;
HEMTs;
Millimeter wave transistors;
Semiconductor devices;
38.
A broadband receiver protection limiter for FET based integrated circuits
机译:
用于基于FET的集成电路的宽带接收器保护限制器
作者:
Noll Alan
;
Stuble Wayne
会议名称:
《2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2015年
关键词:
FET integrated circuits;
Limiting;
detectors;
radar;
receivers;
39.
Compact design of linear Doherty power amplifier with harmonic control for handset applications
机译:
具有谐波控制功能的线性Doherty功率放大器的紧凑型设计,适用于手机应用
作者:
Cho Yunsung
;
Moon Kyunghoon
;
Park Byungjoon
;
Kim Jooseung
;
Jin Hadong
;
Kim Bumman
会议名称:
《2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2015年
40.
High power broadband GaN switch MMICs
机译:
大功率宽带GaN开关MMIC
作者:
Bunz Bernd
;
Reber Rolf
;
Schuh Patrick
;
Oppermann Martin
会议名称:
《2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2015年
关键词:
GaN;
MMIC;
limiter;
switch;
41.
Effect of heterostructure parameters and fabrication technology on the noise properties of AlGaN/GaN HEMT
机译:
异质结构参数和制造工艺对AlGaN / GaN HEMT噪声性能的影响
作者:
Fedorov Yu.V.
;
Mikhaylovich S.V.
会议名称:
《2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2015年
关键词:
HEMTs;
gallium nitride;
noise figure;
simulation;
42.
A novel W-band bottom-LO-configured sub-harmonic mixer IC in 130-nm SiGe BiCMOS
机译:
130 nm SiGe BiCMOS中的新型W波段底部LO配置的次谐波混频器IC
作者:
Yang Xin
;
Xu Xiao
;
Sun Zheng
;
Shibata Takayuki
;
Yoshimasu Toshihiko
会议名称:
《2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2015年
关键词:
130-nm SiGe BiCMOS;
Bottom-LO-configuratoin;
CECCTP;
Low power;
Marchand Balun;
Sub-harmonic mixer;
W-band;
43.
Investigating the linearity versus efficiency tradeoff of different power amplifier modes in an envelope tracking architecture
机译:
在包络跟踪架构中研究不同功率放大器模式的线性度与效率的权衡
作者:
Mokhti Z.A.
;
Lees J.
;
Tasker P.J.
;
Cassan C.
会议名称:
《2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2015年
关键词:
Class-F;
envelope tracking;
power amplifiers;
shaping function;
waveform engineering;
44.
Real-time microwave remote laboratory architecture
机译:
实时微波远程实验室架构
作者:
Farah S.
;
Benachenhou A.
;
Neveux G.
;
Barataud D.
;
Andrieu G.
;
Fredon T.
会议名称:
《2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2015年
关键词:
. Flexible;
Node.js;
collaborative;
real time;
remote lab;
45.
An antenna-coupled 0.49 THz SiGe HBT source for active illumination in terahertz imaging applications
机译:
天线耦合的0.49 THz SiGe HBT光源,用于太赫兹成像应用中的主动照明
作者:
Hillger Philipp
;
Grzyb Janusz
;
Lachner Rudolf
;
Pfeiffer Ullrich
会议名称:
《2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2015年
46.
Reduced-size E-band GaAs power amplifier MMIC
机译:
缩小尺寸的E波段GaAs功率放大器MMIC
作者:
Bessemoulin A.
;
Tarazi J.
;
Rodriguez M.
;
McCulloch M.G.
;
Parker A.E.
;
Mahon S.J.
会议名称:
《2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2015年
关键词:
E-band;
MMICs;
PHEMTs;
Power Amplifiers;
broadband;
gallium arsenide;
millimetre wave integrated circuits;
47.
An inductorless electrical-balance 360?? phase shifter for 0.5???1.15GHz in 0.18??m CMOS
机译:
无电感器的电子天平360 ??在0.18?m CMOS中用于0.5?1.15GHz的移相器
作者:
van Liempd Barend
;
Wambacq Piet
;
Craninckx Jan
会议名称:
《2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2015年
关键词:
CMOS;
Integrated;
electrical-balance;
hybrid junctions;
passive;
phase shifters;
tunable;
48.
Temperature insensitive PA bias circuit with digital control interface using InGaP/GaAs HBT technology
机译:
具有InGaP / GaAs HBT技术的具有数字控制接口的温度不敏感的PA偏置电路
作者:
Chang Wei-Ling
;
Meng Chinchun
;
Wong Shyh-Chyi
;
Chien Hwey
;
Huang Guo-Wei
会议名称:
《2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2015年
关键词:
InGaP/GaAs HBT;
Wilson current mirror;
power amplifier;
temperature insensitive;
49.
Thermal performance assessment in AlGaN/GaN structures by microsensor integration
机译:
通过微传感器集成评估AlGaN / GaN结构中的热性能
作者:
Arenas Osvaldo
;
Alam Elias Al
;
Chakroun Ahmed
;
Aimez Vincent
;
Jaouad Abdelatif
;
Ares Richard
;
Boone Francois
;
Maher Hassan
会议名称:
《2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2015年
关键词:
Gallium Nitride;
microsensor;
self-heating;
temperature;
50.
A 25 W, 2.3 to 2.7 GHz wideband LDMOS two-stage RFIC power amplifier for driver and small-cell Doherty application
机译:
适用于驱动器和小型Cell Doherty应用的25 W,2.3至2.7 GHz宽带LDMOS两级RFIC功率放大器
作者:
Wu David Yu-Ting
;
Zhao Lei
;
Szymanowski Margaret
会议名称:
《2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2015年
关键词:
broadband amplifiers;
microwave amplifiers;
microwave integrated circuits;
power MOSFET;
51.
Trap investigation under class AB operation in AlGaN/GaN HEMTs based on output-admittance frequency dispersion, pulsed and transient measurements
机译:
基于输出导纳频率色散,脉冲和瞬态测量的AlGaN / GaN HEMT中AB类操作下的陷阱研究
作者:
Benvegnu Agostino
;
Bisi Davide
;
Laurent Sylvain
;
Meneghini Matteo
;
Meneghesso Gaudenzio
;
Muraro Jean-Luc
;
Barataud Denis
;
Zanoni Enrico
;
Quere Raymond
会议名称:
《2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2015年
关键词:
Deep level transient spectroscopy (DLTS);
defects;
gallium nitride;
high electron mobility transistor (HEMT);
low frequency dispersion;
trap levels;
52.
A small-insertion-loss-variation phase shifter with optimized body-floating transistors
机译:
具有优化的浮体晶体管的小插入损耗变化移相器
作者:
Bae Juseok
;
Nguyen Cam
会议名称:
《2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2015年
关键词:
CMOS;
body-floating technique;
insertion-loss variation;
phase shifter;
radio frequency integrated circuit (RFIC);
53.
A 70 GHz static dual-modulus frequency divider in SiGe BiCMOS technology
机译:
采用SiGe BiCMOS技术的70 GHz静态双模分频器
作者:
Ergintav Arzu
;
Borngraber Johannes
;
Heinemann Bernd
;
Rucker Holger
;
Herzel Frank
;
Kissinger Dietmar
会议名称:
《2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2015年
关键词:
ECL logic;
SiGe BiCMOS;
dual-modulus divider;
frequency divider;
millimeter-wave radar;
phase-locked loop;
54.
A compact 105???130 GHz push-push doubler, with 4dBm Psat and 18 efficiency in 28nm CMOS
机译:
紧凑的105 ??? 130 GHz推挽倍频器,在28nm CMOS中具有4dBm Psat和18%的效率
作者:
Oz Nitzan
;
Cohen Emanuel
会议名称:
《2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2015年
关键词:
CMOS;
Frequency doubler;
millimeter wave;
55.
A 100-GHz phase shifter in 28-nm CMOS FDSOI
机译:
采用28 nm CMOS FDSOI的100 GHz移相器
作者:
Vahdati Ali
;
Parveg Dristy
;
Varonen Mikko
;
Karkkainen Mikko
;
Karaca Denizhan
;
Halonen Kari A.I.
会议名称:
《2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2015年
关键词:
Active Circuits;
CMOS Integrated Circuits;
Millimeter Wave Integrated Circuits;
Phase Shifters;
Phased Arrays;
56.
Closed-form noise parameters of a transmission line under thermal gradients
机译:
热梯度下输电线路的闭式噪声参数
作者:
Colangeli Sergio
;
Ciccognani Walter
;
Cleriti Riccardo
;
Palomba Mirko
;
Limiti Ernesto
会议名称:
《2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2015年
关键词:
cryogenic measurements;
noise factor;
thermal gradient;
transmission line;
57.
LO spur suppression effect on ultra wideband transceiver performance for QPSK modulation format
机译:
LO杂散抑制对QPSK调制格式的超宽带收发器性能的影响
作者:
Harati P.
;
Boes F.
;
Antes Jochen
;
Tessmann A.
;
Kallfass I.
会议名称:
《2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2015年
关键词:
EVM;
LO spurs;
millimeter-wave communication;
millimeter-wave monolithic integrated circuits (MMIC);
phase error;
phase noise;
58.
Wide-band high efficiency small cell PA characterized by dual band DPD for LTE carrier aggregation application
机译:
具有双频DPD的宽带高效小蜂窝功率放大器,用于LTE载波聚合应用
作者:
Ma Wenlong
;
Lin Barry
;
Male Swapna
;
Peter Mares
;
Andreas Weisgerber
;
Tobias Mangold
会议名称:
《2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2015年
关键词:
ACLR;
Carrier aggregation;
Dual band DPD;
LTE;
Linearity;
Power amplifier;
Small Cell;
59.
G-band frequency doubler based on InP transferred-substrate technology
机译:
基于InP传输衬底技术的G波段倍频器
作者:
Al-Sawaf T.
;
Hossain M.
;
Weimann N.
;
Kruger O.
;
Krozer V.
;
Heinrich W.
会议名称:
《2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2015年
关键词:
G-band;
InP DHBT;
frequency doubler;
hetero-integration;
millimeter-wave circuits;
signal source;
60.
X-band high dynamic range flat gain SiGe BiCMOS low noise amplifier
机译:
X波段高动态范围平坦增益SiGe BiCMOS低噪声放大器
作者:
Davulcu Murat
;
Caliskan Can
;
Ozeren Emre
;
Gurbuz Yasar
;
Kaynak Mehmet
会议名称:
《2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2015年
关键词:
dynamic range;
heterojunction bipolar transistors;
linearity;
noise figure;
phased arrays;
61.
An ultra wideband LNA module for space applications
机译:
适用于太空应用的超宽带LNA模块
作者:
Pantoli L.
;
Leuzzi G.
;
Barigelli A.
;
Vitulli F.
;
Suriani A.
会议名称:
《2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2015年
关键词:
Q/V band;
low noise amplifier;
noise figure;
space;
wideband;
62.
An X-band 9.75/10.6 GHz low-power phase-locked loop using 0.18-??m CMOS technology
机译:
使用0.18-?m CMOS技术的X波段9.75 / 10.6 GHz低功率锁相环
作者:
Tsai Jeng-Han
;
Hsu Chin-Yi
;
Chao Chia-Hsiang
会议名称:
《2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2015年
关键词:
CMOS;
Phase-locked loop (PLL);
X-band;
radio frequency integration circuit (RFIC);
63.
Analysis of a GaN/SiC UHF radar amplifier for operation at 125V bias
机译:
GaN / SiC UHF雷达放大器在125V偏压下工作的分析
作者:
Formicone Gabriele
;
Custer James
会议名称:
《2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2015年
关键词:
125V bias;
Fe doping;
UHF;
amplifier;
breakdown voltage;
buffer layer;
64.
Continuously tuneable liquid crystal based stripline phase shifter realised in LTCC technology
机译:
基于LTCC技术的可连续调谐的基于液晶的带状线移相器
作者:
Jost M.
;
Strunck S.
;
Heunisch A.
;
Wiens A.
;
Prasetiadi A.E.
;
Weickhmann C.
;
Schulz B.
;
Quibeldey M.
;
Karabey O.H.
;
Rabe T.
;
Follmann R.
;
Koether D.
;
Jakoby R.
会议名称:
《2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2015年
65.
Divide-by-six injection-locked frequency divider by employing two down-conversions
机译:
通过使用两个下变频除以六的注入锁定分频器
作者:
Wu Janne-Wha
;
Tu Chih-Ho
;
Chen Sheng-Wen
;
Tu Ming-Cheng
会议名称:
《2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2015年
关键词:
Direct-injection;
Divide-by-six;
Frequency divider;
Injection-locking;
66.
Effects of digital predistortion and crest factor reduction techniques on efficiency and linearity trade-off in class AB GaN-PA
机译:
数字预失真和波峰因数降低技术对AB类GaN-PA效率和线性权衡的影响
作者:
Nair M.V.Deepak
;
Giofre R.
;
Colantonio P.
;
Giannini F.
会议名称:
《2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2015年
关键词:
Crest Factor Reduction;
Digital Predistortion;
EVM;
Multicarrier WCDMA;
PAPR reduction;
67.
Broadband low-noise GaN HEMT TWAs using an active distributed drain bias circuit
机译:
使用有源分布式漏极偏置电路的宽带低噪声GaN HEMT TWA
作者:
van Raay Friedbert
;
Quay Rudiger
;
Aja Beatriz
;
Moschetti Giuseppe
;
Seelmann-Eggebert Matthias
;
Schlechtweg Michael
;
Ambacher Oliver
会议名称:
《2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2015年
关键词:
Active Biasing Circuits;
AlGaN/GaN HEMTs;
Distributed Amplifiers;
Low-Noise Amplifiers;
68.
0.25 ??m AlGaN/GaN HEMT nonlinearity modelling and characterization over a wide temperature range
机译:
0.25?m AlGaN / GaN HEMT的非线性建模和表征在宽温度范围内
作者:
Alim Mohammad A
;
Rezazadeh Ali A
;
Gaquiere Christophe
;
Ali Mayahsa M
;
Haris Norshakila
;
Kyabaggu Peter B
;
Zhang Yongjian
会议名称:
《2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2015年
关键词:
AlGaN/GaN/SiC HEMT;
empirical analytical model;
nonlinearity;
temperature;
two-tone intermodulation distortion;
69.
Robustness investigation by load pull measurement of industrial 0.25-??m AlGaN-GaN HEMTs
机译:
通过负载拉力测量对工业0.25-µm AlGaN-GaN HEMT进行稳健性研究
作者:
Chang Christophe
;
Nobre-Santos Arthur
;
Lambert Benoit
;
Floriot Didier
;
Grunenputt Jan
;
Blanck Herve
会议名称:
《2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2015年
关键词:
GaN-Based Devices;
Load pull measurement;
Microwave Amplifier;
Reliability;
70.
Monolithic three-stage 6???18GHz high power amplifier with distributed interstage in GaN technology
机译:
GaN技术中具有分布式级间的单片三级6 ??? 18GHz高功率放大器
作者:
Dennler Philippe
;
Maroldt Stephan
;
Quay Rudiger
;
Ambacher Oliver
会议名称:
《2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2015年
关键词:
AlGaN/GaN;
HEMT;
Ku-band;
MMIC;
NDPA;
TWA;
active power splitter;
broadband amplifier;
distributed amplifier;
reactively-matched amplifier;
71.
Modeling and applications of millimeter-wave slow-wave coplanar coupled lines in CMOS
机译:
CMOS中毫米波慢波共面耦合线的建模和应用
作者:
Parveg D.
;
Vahdati A.
;
Varonen M.
;
Karaca D.
;
Karkkainen M.
;
Halonen K.A.I.
会议名称:
《2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2015年
关键词:
CMOS technology;
CPW;
MMIC;
coupled line;
differential line;
matching network;
millimeter-wave ICs;
slow-wave;
72.
Abstract book
机译:
摘要书
会议名称:
《2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2015年
73.
New ultra low ESR Mosa??c PICS capacitors for power conversion
机译:
新型超低ESR Mosa ?? c PICS电容器,用于电源转换
作者:
Jatlaoui Mohamed Mehdi
;
Fourneaud Ludovic
;
Voiron Frederic
会议名称:
《2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2015年
关键词:
High frequency Power Conversion;
High stability;
PICS technology;
RF domain;
high density silicon interposer;
integrated passive devices;
ultra low ESR;
74.
Large-signal modeling up to W-band of AlGaN/GaN based high-electron-mobility transistors
机译:
基于AlGaN / GaN的高电子迁移率晶体管的W波段大信号建模
作者:
Cutivet A.
;
Altuntas P.
;
Defrance N.
;
Okada E.
;
Avramovic V.
;
Lesecq M.
;
Hoel V.
;
De Jaeger J.-C.
;
Boone F.
;
Maher H.
会议名称:
《2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2015年
关键词:
AlGaN/GaN;
Electro-thermal Modeling;
HEMT;
Large-signal;
W-band;
75.
Wideband millimeter-wave active and passive mixers in 28 nm bulk CMOS technology
机译:
采用28 nm大块CMOS技术的宽带毫米波有源和无源混频器
作者:
Parveg Dristy
;
Varonen Mikko
;
Karkkainen Mikko
;
Karaca Denizhan
;
Vahdati Ali
;
Halonen Kari A.I.
会议名称:
《2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2015年
关键词:
130 GHz transceiver;
140 GHz Gilbert-cell mixer;
140 GHz resistive mixer;
CMOS mixer;
FMCW;
MMIC mixer;
MMID;
image rejection;
wideband mixer;
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