III-nitrides; quantum wells; polarisation fields; depletion fields; luminescence;
机译:Mg掺杂的GaN覆盖层对InGaN / AlGaN多量子阱结构的光学性能的影响
机译:InGaN / GaN多量子阱蓝色LED中的GaN-AlGaN-InGaN最后量子势垒
机译:有和没有掺Si的InGaN预层生长的InGaN / GaN多量子阱结构的光学性能比较
机译:Ingan / GaN和AlGaN / GaN多量子阱结构的光学性质
机译:InGaN / GaN多量子阱结构:亚微米结构,光学,电和化学性质。
机译:掺杂Si的InGaN底层对不同数量的量子阱的InGaN / GaN量子阱结构的光学性能的影响
机译:具有AlGaN / GaN / AlGaN量子阱结构的电子阻挡层的蓝色InGaN / GaN发光二极管的优势