OBIC; indium compounds; gallium compounds; light emitting diodes; photoluminescence; light scattering; light absorption; two-photon processes; optical microscopy; III-V semiconductors; wide band gap semiconductors; optical beam induced current; indium gallium nitride; blue LEDs; light emitting diodes; photoluminescence laser scanning microscopy; two-photon excitation; light scattering; light absorption; packaging material; p-doping; InGaN;
机译:两共焦激发光束在光束感应电流产生中两光子和双色(两光子)激发之间的串扰
机译:双光子光束感应电流法对硅倒装芯片进行三维纳米次表面成像
机译:硅倒装芯片的双光子光束诱导电流固态浸没成像,分辨率为325 nm
机译:氮化铟镓蓝光LED的双光子光束感应电流成像
机译:高功率氮化铟镓/氮化镓多量子阱蓝色LED的制造
机译:基于氮化铟镓的紫外蓝色和绿色发光二极管具有浅周期性孔图案
机译:通过显微拉曼成像利用两个激光束同时照射,通过微观拉曼成像分析氮化镓 - 氮化镓/氮化镓异质结构中的局部热能输送
机译:利用氮化铟镓(InGaN)/氮化镓(GaN)异质结构的负极化特性实现具有深紫外(<250nm)发射的频率倍增蓝绿激光(2年级)。