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An Overview Of TPV Emitter Technologies

机译:TPV发射极技术概述

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摘要

Radiating surfaces at typical temperatures in the range of 1200-2000 K are the source of energy which is incident on the TPV cells of TPV systems. The radiators or emitters may have very pronounced or weak spectrally selective properties on which TPV system efficiencies depend very much. This paper gives an overview of existing emitter technologies. Two different approaches to realize spectrally selective emitters are discussed in detail: rare-earth oxides and engineered tungsten emitters.
机译:典型温度的辐射表面在1200-2000k的范围内是入射在TPV系统的TPV细胞上的能量来源。散热器或发射器可能具有非常明显的或弱的光谱选择性属性,其TPV系统效率非常依赖。本文概述了现有的发射器技术。详细讨论了实现光谱选择性发射器的两种不同方法:稀土氧化物和工程化钨发射器。

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