机译:晶体硅附近的磷供体电子与二氧化硅界面缺陷的T_1和T_2自旋弛豫时间限制
机译:N @ C_(60)中电子自旋弛豫的微观理论
机译:N @ C_(60)中环境对电子自旋弛豫的影响
机译:电子自旋弛豫率T_1〜(-1)和T_2〜(-1)在稀释的固体n @ c_(60)中
机译:固体中自旋晶格弛豫速率的研究:与量子密度矩阵法比较的格构架法和Glauber动力学。
机译:用于室温检测电子自旋共振来自稀释亚纳升体积固体的可缩放微谐振器
机译:$ T_1 $ - 和$ T_2 $ -spin磷供体的弛豫时间限制 晶体硅附近的电子到二氧化硅界面缺陷
机译:辐照固体中的电子自旋弛豫