Radiative recombination in InP quantum dots on GaP

机译：在间隙上的INP量子点中的辐射重组

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We describe the growth and optical emission from strained InP quantum dots grown on GaP using gas-source molecular beam epitaxy. Self-organised island formation takes place for InP coverage greater than 1.8 monolayers on the [100] GaP surface. Intense photoluminescence from the dots are observed at about 2.0 eV.

机译：我们描述了使用气源分子束外延在间隙上生长的应变InP量子点的生长和光学发射。在[100]间隙表面上的INP覆盖范围大于1.8单层的INP覆盖范围，发生自组织岛地层。在大约2.0eV中观察到来自点的强烈光致发光。

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来源
《International Conference on Microelectronics》|2000年||共3页
会议地点
作者
Hatami F.; Masselink W.T.; Institute of Electric and Electronic Engineer;
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正文语种
中图分类 TN4-53;
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