机译:1.3μmInGaAsP / InP压缩应变MQW激光器具有极低的阈值(0.56 mA)操作
机译:高性能/ spl lambda / = 1.3 / spl mu / m InGaAsP-InP应变层量子阱激光器
机译:1.3- / spl mu / m InGaAsP-InP激光器的温度性能,具有不同的p型掺杂
机译:超低阈值(0.56 mA)1.35- / splμm/ m InGaAsP / InP压缩应变MQW激光器
机译:被动锁模InGaAsP / InP半导体激光器的高工作温度
机译:证明与InP匹配的AlAs0.56Sb0.44晶格中的大电离系数比
机译:在低温和室温下高压下测量的1.3μmInGaAsP和1.5μmInGaAs量子阱激光器的辐射和俄歇复合