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IEEE International Semiconductor Laser Conference
IEEE International Semiconductor Laser Conference
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1.
Novel method to optimize complex coupling coefficients by sampled gratings
机译:
采样光栅优化复合耦合系数的新方法
作者:
Hansmann S.
;
Walter H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
2.
2.5 Gb/s parallel transmission without excess bit error rate in a 1.3 /spl mu/m strained MQW LD array for optical interconnection
机译:
2.5 GB / S平行传输,无需误码率的1.3 / SPL MU / M紧张的MQW LD阵列,用于光学互连
作者:
Matsumoto K.
;
Miyazaki Y.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
3.
0.98 /spl mu/m InGaAs/InGaP strained quantum well lasers with GaAs/InGaP superlattice optical confinement layer
机译:
0.98 / SPL MU / M INGAAS / INGAP应变量子井激光器与GAAs / INGAP超晶格光学限制层
作者:
Usami M.
;
Matsushima Y.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
4.
High-frequency operation of SQW diode laser modulated by dual optical confinement factor and pumping current density control
机译:
通过双光限制因子调制SQW二极管激光器的高频操作,泵送电流密度控制
作者:
Gurevich S.A.
;
Chebunina I.E.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
5.
High-power single-transverse-mode operation of narrow-ridge-waveguide 0.98-/spl mu/m InGaAs/AlGaAs strained-quantum-well lasers by in situ monitored RIBE
机译:
窄脊波导的高功率单横横模式操作0.98- / SPL MU / M InGaAs / Algaas通过原位监测Ribe调节量子孔激光器
作者:
Chida H.
;
Hamamoto K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
6.
Low-bias-current direct modulation up to 33 GHz in GaAs-based pseudomorphic MQW ridge-waveguide lasers suitable for monolithic integration
机译:
低偏置电流直接调制高达33 GHz的基于GAAS的假型MQW脊 - 波导激光器,适用于单片集成
作者:
Ralston J.D.
;
Eisele K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
7.
Proceedings of IEEE 14th International Semiconductor Laser Conference
机译:
IEEE第14届国际半导体激光会议的诉讼程序
作者:
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
8.
Generation of 1.54 THz pulse train by harmonic passive mode-locking in DBR lasers
机译:
在DBR激光器中通过谐波被动模式锁定生成1.54 THz脉冲列车
作者:
Arahira S.
;
Oshiba S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
9.
Polarization control of vertical-cavity surface-emitting lasers by a birefringent metal/semiconductor polarizer terminating a distributed Bragg reflector
机译:
通过双折射金属/半导体偏振器终止分布式布拉格反射器的垂直腔表面发射激光器的偏振控制
作者:
Mukaihara T.
;
Ohnoki N.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
10.
Lateral mode behavior of CW proton-implanted vertical-cavity surface-emitting lasers
机译:
CW质子植入垂直腔表面发射激光器的横向模式行为
作者:
Hadley G.R.
;
Lear K.L.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
11.
Integration of a tunable 4-section DBR laser within polarization diversity heterodyne receiver PICs
机译:
可调谐4段DBR激光器的集成偏振分集外差接收器PIC
作者:
Kaiser R.
;
Fidorra F.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
12.
Variation of kink power with cavity length in weakly index guided semiconductor lasers
机译:
弱指数导向半导体激光器腔长的扭结功率变化
作者:
van der Poel C.J.
;
Schemmann M.F.C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
13.
Modulation characteristics of short cavity distributed Bragg reflection lasers with a narrow band Bragg mirror
机译:
短腔分布式布拉格反射激光器的调制特性窄带布拉格镜
作者:
Tessler N.
;
Margalit M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
14.
Circular-grating surface-emitting distributed Bragg reflector lasers on an InGaAs/GaAs structure for 0.98 /spl mu/m applications
机译:
圆形光栅表面发射分布式布拉格反射器在InGaAs / GaAs结构上进行0.98 / SPL MU / M应用
作者:
Fallahi M.
;
Chatenoud F.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
15.
High temperature and reliable operation of 630 nm-band InGaAlP tensile-strained multiquantum-well laser diodes
机译:
630 nm频段Ingaalp拉伸型多谜 - 孔激光二极管的高温可靠操作
作者:
Watanabe M.
;
Matsuura H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
16.
Single-mode tunable FIR pulsed p-Ge laser
机译:
单模可调冷脉冲P-GE激光
作者:
Muravjov A.V.
;
Pavlov S.G.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
17.
Analysis on tuning range of enhanced-plasma-effect lasers
机译:
增强等离子体效应激光器调谐范围分析
作者:
Morinaga M.
;
Ishikawa M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
18.
Modelocking of low threshold VCSEL with pigtailed fiber resonator
机译:
尾纤光纤谐振器的低阈值VCSEL模型
作者:
Fiedler U.
;
Zeeb E.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
19.
295 mW CW maximum output of AlGaInP laser diode with windows grown on facets
机译:
295 MW CW在平面上生长的窗户中的AlGaInP激光二极管的最大输出
作者:
Watanabe M.
;
Tani K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
20.
Sub-milliampere threshold InGaAs/GaAs/AlGaAs laser array elements by single step growth on nonplanar substrates
机译:
亚毫安阈值IngaAs / GaAs / Algaas激光阵列元素在非平面基板上的单步增长
作者:
Zhao H.
;
MacDougal M.H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
21.
Ultralow-threshold (0.56 mA) 1.35-/spl mu/m InGaAsP/InP compressive-strained-MQW lasers
机译:
超级阈值(0.56 mA)1.35- / SPL MU / M INGAASP / INP压缩紧张的MQW激光器
作者:
Uomi K.
;
Tsuchiya T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
22.
1.5 /spl mu/m InGaAsP/InP large mode size laser for high coupling efficiency to cleaved single mode fibre
机译:
1.5 / SPL MU / M INVAASP / INP大型尺寸激光器,用于高耦合效率切割单模光纤
作者:
Lealman I.F.
;
Robertson M.J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
23.
Uniform and high-power characteristics of AlGaInP visible laser diodes and their four-element arrays fabricated on a 3-inch wafer
机译:
AlGainP可见激光二极管的均匀和高功率特性及其在3英寸晶片上制造的四元件阵列
作者:
Shima A.
;
Nishiguchi H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
24.
High-power highly reliable operation (40 mW at 60/spl deg/C) of compressively strained quantum-well 680-nm AlGaInP LDs
机译:
高功率高度可靠的操作(40 MW,60 MW,60 / SPL DEG / C)的压缩式压力量子阱680-NM ALGainP LDS
作者:
Kawanaka S.
;
Tanaka T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
25.
Dynamics of injection locking of mode locked semiconductor lasers
机译:
锁定半导体激光器注射锁定的动态
作者:
Margalit M.
;
Orenstein M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
26.
980 nm and 850 nm zone lasers
机译:
980 nm和850 nm区域激光器
作者:
Vakhshoori D.
;
Wynn J.D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
27.
Hydrogen effect on 670 nm AlGaInP visible laser during high temperature operation
机译:
高温操作期间670nm Algainp可见激光氢效
作者:
Won-Jin Choi
;
Ji-Ho Chang
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
28.
Digitally encoded optical pulse generation from an integrated DBR laser-modulator
机译:
来自集成DBR激光调制器的数字编码光脉冲产生
作者:
Raybon G.
;
Froberg N.M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
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