机译:在具有微结构的硅衬底上旋涂光刻胶来制作圆形图案的研究
机译:ELID研磨和厚光刻胶光刻技术制备多层微结构的研究
机译:在短时间碳氟化合物等离子体曝光期间对193 nm光致抗蚀剂降解的研究。二。光刻胶降解的等离子体参数趋势
机译:光致抗蚀剂预研的结构研究
机译:高级光刻胶材料的设计和研究:减少环境影响的正性光刻胶和用于157 nm光刻的材料。
机译:使用干涉光刻和硫族化物光致抗蚀剂制备周期性等离子体结构。
机译:用于表征光致抗蚀剂产生的导电碳的测试结构
机译:用于交叉电容器结构制作的厚负光刻胶的优化。