Gallium arsenide; HEMTs; MODFETs; Microwave integrated circuits; III-V semiconductor materials; Silicon; Doping;
机译:半导体亚微米器件中热载流子波动的广义传递场和兰文芬力
机译:深亚微米设备中热载流子传输的模拟方法的主题审查层次结构
机译:使用非接触式激光光载波辐射法测量偏置金属氧化物半导体n-Si器件中的载流子密度波传输和局部内部电场
机译:半导体中的高场载流子传输:从基本物理学到亚微米器件仿真
机译:亚微半导体器件中载流子传输的物理和数值模拟。
机译:基于完美匹配层和光谱元素方法的3D量子传输解算器用于半导体纳米器件的仿真
机译:混合有机半导体器件中传输过程的物理和模拟
机译:亚太半导体器件物理学北约高级研究所的会议记录于1983年7月10日至23日在意大利圣米尼亚托举行。亚微米半导体器件物理学。 (北约asI系列B:物理学,第180卷