中性-イオン性転移を伴うTetramethylbenzidine電荷移動錯体を用いた有機電界効果トランジスタ

摘要

近年ドープした有機半導体を用いた有機デバイスが注目を集めている。我々は、様々な交互積層型電荷移動錯体を用いた有機電界効果トランジスタを報告してきた 1。(TMB)(TCNQ) 3, 3’, 5, 5’ tetrametyl benzidine)(tetracyanoquinodimethane)~2は、200 K付近の低温下において中性-イオン性転移が確認されているが、トランジスタ特性は報告されていない。本研究では、電荷移動量の小さい順にTMBのChloranil, DMTCNQ, TCNQ, F_2TCNQ, F_4TCNQ錯体（Fig. 1a）を用いて、電荷移動量を0.1から0.9程度まで変化させ単結晶トランジスタおよび薄膜トランジスタを作製し、トランジスタ特性の温度依存性を考察した。