CSD法によるxCaZrO_3-(1−x)NaNbO_3薄膜の作製と特性評価

摘要

反強誘電体材料は、印加電界に対して特異なP-Eループを示すことから、蓄電デバイスや冷却デバイスへの応用が検討されている。NaNbO_3はペロブスカイト型酸化物の一つであり、環境親和性に優れた反強誘電体材料として知られている。しかし、反強誘電性に由来したP-Eループを観測した報告は殆どない。これは、電界印加により反強誘電相から強誘電相へと転移するためである。近年、NaNbO_3に少量のCaZrO_3を固溶させたxCaZrO_3-(1−x)NaNbO_3 [x=0.01 – 0.05] において反強誘電性が報告されたことから、新規材料として注目されており、1) 薄膜化することで様々な小型デバイスへの応用が期待される。これまでに、xCaZrO_3-(1−x)NaNbO_3薄膜に関する報告は幾つか成されているが、2) 膜組成と種々の物性の関係は十分に明らかにされていない。そこで、本研究では組成制御が容易な化学溶液堆積法 (CSD 法) を用いてより、エピタキシャルxCaZrO_3-(1−x)NaNbO_3薄膜を作製し、その結晶構造および電気特性を評価したので報告する。