In_(0.78)Ga_(0.22)SbチャネルHEMTの高周波及び雑音特性に関する モンテカルロシミュレーション解析

摘要

高周波特性向上を目的としたトランジスタの一つに、Ⅲ-V族化合物半導体であるInSbをチャネル層に用いたHEMTがある。しかしながら、InSbは電子有効質量（m*）が小さく、シートキャリア濃度（Ns）が低い。一方、チャネル層にIn_(0.78)Ga_(0.22)Sbを用いることで低いNsを補ったInGaSbチャネルHEMTエピ構造の優位性が報告されている。そこで本研究では、チャネル層にIn_(0.78)Ga_(0.22)Sb及びInSbを用いたHEMTのモンテカルロシミュレーションを行い、高周波及び雑音特性の比較を行った。