SiNキャップ層高温熱処理によりGaN表面付近に導入される電子トラップの深さ方向分布の熱処理時間依存性

摘要

イオン注入の活性化やプラズマエッチングなどのダメージの回復のために高温熱処理(アニール)が行われる。高温熱処理には欠陥低減効果が期待される一方、新たな欠陥生成の恐れもある。前回、我々のグループはn型GaNホモエピタキシャル成長層に対してSiNキャップ層を形成後に高温熱処理を行うと、GaN 表面から深さ方向に向かって密度が減少していくような分布を持った欠陥(電子トラップ)が導入されることを見出し、SiN/GaN 界面から導入された欠陥が熱処理温度や時間が増すごとに深さ方向に拡散している可能性を提案した[1]。今回、熱処理の温度を一定として、熱処理時間を細かく変えた試料を用意し、評価することで熱処理時間に対する欠陥の挙動を詳しく調べたので報告する。