GaN-HEMTの電気的特性のAlGaN電子供給層厚依存性

摘要

無線電力伝送用デバイスとしてGaNショットキーバリアダイオード(SBD)を内蔵したマイクロ波整流アンテナ（レクテナ）が提案されている[1]。我々は高電子移動度トランジスタ(HEMT)のゲートとドレインを短絡したGated-AnodeダイオードがSBDより大電力化に有利であることに注目し、GaN Gated-Anode ダイオードを用いた新規レクテナを開発している。レクテナの大電力高効率化のためにはダイオードのオン電流と逆耐圧を向上しつつオフ時リーク電流を抑制する必要がある。この条件をHEMTに置き換えると、最大ドレイン電流(Imax)とゲート－ドレイン間耐圧(BVgd)を向上しつつノーマリオフ動作化することに対応する。本研究では、Gated-Anodeダイオードのエピ設計用基本データを取得するため、GaN-HEMT の電気的特性の AlGaN 電子供給層厚依存性を調べた。