埋め込みMRAM に向けた純スピン流源BiSb の熱耐久性の向上

摘要

不揮発性メモリである磁気抵抗メモリ（MRAM）を埋め込みメモリとして応用することが注目されている。さらにトポロジカル絶縁体であるBi_(1-x)Sb_xをスピン流源としてSOT-MRAM を構成することで超低電力での書き込み動作が可能であると報告されている。しかしBi_(1-x)Sb_xは融点が約300°Cの材料であり、CMOS ロジック回路製造プロセスに準拠する必要がある埋め込みメモリとして応用するためには配線後の400°C程度のアニール工程における熱対策が必要である。