中性無電解銅めっき速度のQCM測定

摘要

【はじめに】中性無電解銅めっき法[1]は，pH=7 で銅をめっきでき，めっき中に水素ガスを発生しないという特長をもち，集積回路製造プロセスに適合可能なめっき方法である。さらに，還元剤であるコバルトエチレンジアミン錯体の磁性から，めっき部分の磁界が大きくなるように磁場勾配を与えるとめっき速度が上昇するという特徴も有している。しかし，反応機構は十分に調べられていない。今回，QCM法でめっき膜の時間推移を計測し，反応機構を検討したので報告する。