πイオンゲルを用いた新規有機超分子デバイス：PIGT

摘要

【緒言】71共役分子からなる超分子ゲル(πゲル)は、ゲルファイバー内で半導体分子が秩序高く集合しているため、従来の薄膜デバイスと比較して、面積当たりの移動度が飛躍的に向上することが知られている。[1]しかしながら、それらファイバーを1つのデバイスに密に集積し、膜厚制御を施す転写プロセスは非常に困難であり、その結果、トランスコンダクタンス(g_m)や出力電流といつた指量的性能は大きく劣るという課題が挙げられる。我々はこれまでに、ゲル化プロセスを精密に制御することで、イオン液体のみを内包する兀ゲル（兀イオンゲル)を開発した。[2]兀イオンゲルはファイバー内の半導体的性質に加え、ファイバ一間の大きな空間を占めるイオン液体による高いイオン導電性を併せもつ(Fig.lc)。本件は兀イオンゲルを用いて、我々が開発した新規トランジスタ構造(n-ion gel transistor,PIGT)及ぴその優れたデバイス性能について報告する。