MBEによるAlN/h-BNバッファ層上GaN薄膜のエピタキシャル成長

摘要

MOVPEによるサファイア基板上六方晶窒化ホウ素(h-BN)層上GaN成長において、AlNバッファ層を導入することで高品質GaN薄膜成長が報告されている[1]。MOVPEと同様に、MBEでh-BN上にAlNバッファ層(AlN/h-BN)を導入することでGaN薄膜の結晶性の向上を見出した[2]が、バッファ層の結晶性が十分でなかった。今回、MBEで結晶性の向上を行ったAlN/h-BNバッファ層上にGaN薄膜を成長することで、エピタキシャル成長の結晶性が向上したので報告する。