GaNのRF-MBE成長における結晶性と発光特性の関係

摘要

[はじめに] AlxGa1-xNのバンドギャップは深紫外域を網羅し[1]、発光素子や電子素子への応用が進hでいる。最近では、高品位なAlNテンプレートやAlN基板の使用により、素子特性が飛躍的に向上している[2]。我々は、RFプラズマ援用分子線エピタキシー(RF-MBE)法によりGaNテンプレート上へのAlGaN成長に取り組み、臨界膜厚が結晶性や表面平坦性に与える影響を報告してきた[3]。本研究では、GaN、AlNテンプレート上にⅤ/Ⅲ比を変化させGaN成長を行い、結晶性や表面平坦性と発光特性や電気特性の関係を調査したので報告する。