高温アニールスパッタAlN上にMOVPE成長させたAlNの陰極線蛍光評価(2)

摘要

【序】AlGaN混晶を活性層とする深紫外発光素子を安価に実現するには、サファイア基板上に高品質AlNテンプレートを形成する技術が有効である。上杉、三宅ら[1]は、サファイア上にAlN薄膜をスパッタ成膜した後にface-to-face高温アニールを施してFFA Sp-AlNを形成し、その上にAlN膜をMOVPE成長させることによって低転位密度AlN薄膜が得られることを示している。我々は、サファイアや自立 AlN 基板上の AlN 薄膜のカソードルミネッセンス（CL）や時間分解発光計測を行ってきた[2−4]。本講演では、異なる条件で作製したFFA Sp-AlNやその上にMOVPE成長させたAlN薄膜のCL特性について報告する。