等電子トラップ援用トンネルFETの量子ドット動作におけるゲート長依存性の発現機構

摘要

昨今量子計算機に高い注目が集まっており、その基本素子候補の1つとして、高温動作や大規模集積性などの利点をもつシリコン量子ビット素子の開発が進められている。等電子トラップ援用トンネルトランジスタ(IET-TFET)[1]は量子ドット素子としても動作し、室温での単一電子輸送、および10Kまでの高温量子ビット動作が近年確認されている[2]。