ターゲット有効利用のための新規磁石配置による回転型高周波マグネトロンスパッタリング装置の開発

摘要

プラズマによる薄膜合成技術の一つに, スパッタリング法がある。その中でも現在の主流として用いられているのが, マグネトロンスパッタリング法である。マグネトロンスパッタリング法は，半導体製造プロセスにおいて、金属や化合物薄膜の合成等[1]，現在最も幅広く利用されている方式[2]である。この方式は, ターゲットの裏側に永久磁石を配置することにより、高速スパッタを実現でき, 高品質な薄膜が得られるという特徴がある。しかし, 従来のマグネトロンスパッタ装置のターゲット利用率は 20~30%と低いことが課題である[2]。 ターゲット利用率の向上は, 製造コスト低下の観点より，非常に重要であり，改善が要求されている[3]。