用于溅射沉积源和磁控溅射沉积源的磁体布置

摘要

根据本公开内容的一个方面，提供了一种用于溅射沉积源的磁体布置(100)。所述磁体布置包括第一磁体(110)和第二磁体(120)，所述第一磁体(110)和第二磁体(120)适于将等离子体限制在等离子体限制区域(150)中；和包含可磁化材料的至少一个场影响元件(115)，所述至少一个场影响元件(115)适于实现所述等离子体限制区域朝向所述至少一个场影响元件的局部位移。根据第二方面，提供了一种具有磁体布置的磁控溅射沉积源(400)和一种使用包括磁体布置的磁控溅射沉积源在基板上沉积膜的方法。