浮遊ゲート電位（V_(FG)）のトラジェクトリを用いた2Dメモリデバイスの動作理解

摘要

【緒言】二次元積層構造を用いた浮遊ゲート（FG）タイプの不揮発性メモリデバイスは，従来のSi 系 Flash メモリと比較してチャネル材料の選択肢が豊富である．そのため，様々な二次元積層構造によるメモリデバイスが提案されてきた[1,2]．しかしながら，従来のId-VBG測定だけではチャネル材料によるメモリ動作の違いが分からず，2Dメモリの材料設計が困難な状況にある．加えて， 2Dメモリのベンチマーク結果とその物理機構を議論するためにも動作理解が必須である．従って，本研究では浮遊ゲート電位（VFG）のトラジェクトリに着目することで，チャネル材料によるデバイス動作の違いを抽出することを目的とした．VFGはチャネル－FG間のトンネルを決定づける量であり，デバイス動作に関する新たな知見が得られると期待できる．