高耐圧デバイスの有効面積効率を改善する高アスぺクト比ディープトレンチ終端(HARDT~2)技術

摘要

我々は、高耐圧デバイスに適用可能な、HARDT~2技術を 用いた新しい終端構造を提案した。終端長は従来の約1/6 に縮小することができ、600VクラスMOSFETにおいて、 チップ全体に占めるデバイス有効面積効率は96%まで高め ることができた。静特性として、トレンチ側壁保護膜によ って、高温でのリーク電流は効果的に抑制できていること を確認し、信頼性評価(HTRB)においても V_B、リーク電流 ともに1000時間まで変動なく維持されることを確認した。 さらに、ボディダイオード逆回復特性とUIS評価から、こ の終端構造が動特性に影響を与えないことも検証した。こ のHAEDT~2技術により、高耐圧デバイスの優れた終端構造 を実現することができる。