熱処理ワイヤを用いたバイアススイッチング方式基本波型直交フラックスゲートの低オフセット化

摘要

本研究では，基本波型直交フラックスゲートのセンサへッドに用いるU字状にしたアモルファスワイヤを，磁界中熱処理をおこなうことで円周方向に磁気異方性を誘導し，磁気シールド内で検出コイルの誘起電圧が小さくなる，すなわち低オフセットなセンサへッドを作製した.熱処理したものと，処理を施さなかったセンサへッドとをそれぞれバイアススイッチング回路と組み合わせ，その出力を比較したところ，基線は右肩上がりに増加するが，バイアス切り替えのそれぞれの区間を平均化して加算するとオフセット変動が小さくなることを確認した.また，バイアススイッチングの切り替え後の波形を除去して波形処理をおこなうことで，1Hzにおいて約7pT/Hz~(1/2)のノイズレベルを達成できることが確認された.