机译:高k电介质的特高压CAFM表征:技术分辨率对击穿前后的电学测量的影响
机译:击穿后的电阻统计研究了薄SiO / sub 2 /的介电击穿机理
机译:通过击穿后电阻统计研究SiO_2介电击穿机理
机译:高K电介质堆的击穿后统计和加速特性
机译:介电钛酸盐的界面,缺陷化学和电阻降解
机译:酸性水电化学环境中Si / SiO2阴极的介电击穿和击穿后溶解
机译:通过薄SiO2薄膜突破性抗撕裂性统计分析的介电击穿机制研究
机译:新奥尔良 - 梅泰里 - 肯纳,路易斯安那大都会统计区。卡特里娜和丽塔之前和之后的经济和住房市场状况:截至2005年9月1日的综合市场分析特别报告,2006年2月1日更新