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Photocurrent imaging of the potential profiles in a graphene transistor

机译:石墨烯晶体管中电位分布的光电流成像

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摘要

Photocurrent imaging was used to study the potential profiles in a graphene transistor. The impact of source/drain metal electrodes on potential profile of the graphene channel extends beyond the contact for a few hundred nanometers, and varies considerably with gate bias.
机译:光电流成像用于研究石墨烯晶体管中的电势分布。源极/漏极金属电极对石墨烯通道电势分布的影响超出了接触数百纳米,并且随栅极偏压而显着变化。

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