Iron; Stress; Zirconium; Grain size; Mathematical model; Logic gates; Semiconductor process modeling;
机译:由铁电介质双层电容器的脉冲测量产生的表观“负电容”效果
机译:HF-ZR-AL-O / HF_(0.5)ZR_(0.5)O_2双层系统之间的界面电荷和负电容效应之间的折衷
机译:基于7nm节点负电容FinFET的SRAM的性能评估
机译:铁电介质多态性相位分布的综合研究和界面界面对子5 nm节点负电容FET的效应
机译:在低于5 nm的硅纳米线光刻中的量子限制效应和si纳米栅FET生物传感器的集成。
机译:心脏安全性来自II期开放标签多中心两项基于多西他赛的方案加贝伐珠单抗对淋巴结阳性或高危淋巴结阴性乳腺癌患者的辅助治疗的初步研究
机译:SI-TMD与N / P型操作接触的数值研究和SUS-5 NM MOLAILATER MOS2 FET的界面屏障减少