Logic gates; Hysteresis; Impact ionization; Transistors; Threshold voltage; Current density; Capacitance;
机译:多栅极驱动的IN-GA-ZN-O Memtransistors,具有Sub-60 MV /十年亚阈值摆动,用于神经形态和杂项应用
机译:电荷耦合的MIS(p)隧道晶体管上的栅氧化层局部变薄机制引起的60mV /十年以下阈值摆幅
机译:低于60 mV /十年亚阈值摆幅的负电容氧化物薄膜晶体管
机译:无连接MOSFET中的滞后自由子60 MV / DEC亚阈值摆动
机译:亚阈值区域中基于Mosfets分压器阵列的物理上不可克隆的函数
机译:使用基于透视引导的经皮椎体成形术经皮椎间盘减压射频内支神经溶解和血管内严重肢体缺血的无电缆系统MOSFET进行患者皮肤剂量测量
机译:关于获得类似mOsFET的性能和sub-60的可能性 1D断裂隧道晶体管的mV / decade摆幅
机译:辐照mOsFET中固定和界面陷阱电荷分离的亚阈值技术