Asymmetric gate oxide thickness; Common Double Gate MOSFET; Compact Modeling; Non-Quasi Static Effects; Source/Drain Symmetry test;
机译:紧凑型模型中包含体掺杂,可适应栅极氧化物厚度不对称的全耗尽普通双栅极MOSFET
机译:通用双栅极MOSFET的非准静态电荷模型适应栅极氧化物厚度不对称性
机译:适用于适应栅氧化层厚度不对称性的常见双栅金属-氧化物-半导体场效应晶体管的紧凑噪声建模
机译:INDDG:适用于栅极氧化物厚度不对称的公共双栅MOSFET的新紧凑型号
机译:双栅MOSFET量子效应的紧凑模型。
机译:首要原理的砷和锑双栅极MOSFET的性能
机译:漏极感应屏障降低和顶/底栅氧化物厚度在不对称连接双闸门MOSFET中的关系
机译:多晶硅栅极对具有薄栅氧化层的亚100nm mOsFET中随机掺杂诱导阈值电压波动的影响